Для заданного резкого несимметричного p-n перехода определить:
1. концентрацию основных и неосновных носителей заряда;
2. удельную проводимость p- и n-областей;
3. контактную разность потенциалов;
4. коэффициенты диффузии для носителей заряда обоих типов;
5. ширину p-n перехода в равновесном состоянии;
6. ток насыщения;
7. высоту энергетического барьера:
а) при протекании заданного прямого тока ;
б) при приложении заданного обратного напряжения .
8. барьерную емкость p-n перехода при ;
9. отношение дырочной составляющей тока через p-n переход к электронной.
Нарисовать энергетические диаграммы для трех случаев:
а) для равновесного состояния;
б) при протекании прямого тока ;
в) при приложении обратного напряжения .
Известна площадь p-n перехода S=10-6 м2 и диффузионная длина неосновных носителей Ln=310-4 м, Lp=210-4 м (Т=300 К). N1 – определяет материал полупроводника, N2 – задает концентрации акцепторной и донорной примесей, N3 – указывает на значения прямого тока через p-n переход и обратного напряжения, приложенного к p-n переходу. Параметры N1, N2, N3 выбираются из табл. 1-3.
олеся
ноир
Спасибо большое за ваш труд,всё отлично.Очень аккуратно и всё понятно.Рекомендую всем обра...
Ксения
КГТУ
Спасибо за хорошую работу! В следующий раз обязательно обращусь к вам!)
Андрей
СПБГУПТД
Молодец Ольга.Сделано все хорошо и понятно.и самое главное - аккуратно!
Александра
ИГХТУ
Работа выполнена досрочно и очень качественно! Я довольна этим исполнителем! Большое вам с...